NLV25T-R56J-EFD

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封装
批号
价格
说明
操作

NLV25T-R56J-EFD
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
TDK Corporation
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

NLV25T-R56J-EFD
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
1000
TDK Corporation
原厂封装
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

NLV25T-R56J-EFD
深圳市诚达吉电子有限公司
深圳市诚达吉电子有限公司
联系人：莫小姐
电话：15013829553
地址：广东深圳
资质：营业执照
2000
SMD
22+
-
全部原装现货

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功能描述
560nH Unshielded Wirewound Inductor 325mA 750 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
制造商
tdk corporation
系列
NLV-EFD
包装
剪切带（CT）
零件状态
停产
类型
绕线
材料 - 磁芯
铁氧体
电感
560nH
容差
±5%
额定电流
325mA
电流 - 饱和值
-
屏蔽
无屏蔽
DC 电阻（DCR）
750 毫欧最大
不同频率时的 Q 值
30 @ 25.2MHz
频率 - 自谐振
325MHz
等级
AEC-Q200
工作温度
-40°C ~ 105°C
频率 - 测试
25.2MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
1008（2520 公制）
大小/尺寸
0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安装（最大值）
0.075"（1.90mm）
标准包装
1

NLV25T-R56J-EFD 技术参数

NLV25T-R56J-EF 功能描述:560nH Unshielded Wirewound Inductor 325mA 750 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:560nH 容差:±5% 额定电流:325mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:750 毫欧最大不同频率时的 Q 值:30 @ 25.2MHz 频率 - 自谐振:325MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:25.2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.075"（1.90mm）标准包装:1 NLV25T-R47J-PF 功能描述:470nH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 680 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:470nH 容差:±5% 额定电流:350mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:680 毫欧最大不同频率时的 Q 值:30 @ 25.2MHz 频率 - 自谐振:350MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:25.2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.075"（1.90mm）标准包装:1 NLV25T-R47J-EFD 功能描述:470nH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 680 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:470nH 容差:±5% 额定电流:350mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:680 毫欧最大不同频率时的 Q 值:30 @ 25.2MHz 频率 - 自谐振:350MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:25.2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.075"（1.90mm）标准包装:1 NLV25T-R47J-EF 功能描述:470nH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 680 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:470nH 容差:±5% 额定电流:350mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:680 毫欧最大不同频率时的 Q 值:30 @ 25.2MHz 频率 - 自谐振:350MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:25.2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.075"（1.90mm）标准包装:1 NLV25T-R39J-PF 功能描述:390nH Unshielded Wirewound Inductor 375mA 650 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:390nH 容差:±5% 额定电流:375mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:650 毫欧最大不同频率时的 Q 值:30 @ 25.2MHz 频率 - 自谐振:375MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:25.2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.075"（1.90mm）标准包装:1 NLV25T-R82J-PFD NLV27WZ00USG NLV27WZ04DFT1G NLV27WZ04DFT2G NLV27WZ06DFT2G NLV27WZ07DFT2G NLV27WZ08USG NLV27WZ125USG NLV27WZ126USG NLV27WZ14DFT2G NLV27WZ16DFT2G NLV27WZ17DFT2G NLV27WZ32USG NLV27WZ86USG NLV27WZU04DFT2G NLV32T-010J-EF NLV32T-010J-EFD NLV32T-010J-PF