NLV25T-R82J-EFD全国供应商【买卖IC网】NLV25T-R82J-EFD资料|PDF Datasheet|价格 TDK

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封装
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价格
说明
操作

NLV25T-R82J-EFD
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
TDK Corporation
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

NLV25T-R82J-EFD
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
10
TDK
con
23+
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

NLV25T-R82J-EFD
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
10
TDK
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

NLV25T-R82J-EFD
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：中国上海
10
TDK
NA
23+
-
查现货！就到京北通宇商城

NLV25T-R82J-EFD
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
1000
TDK Corporation
原厂封装
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

NLV25T-R82J-EFD
深圳市盛芯世纪科技有限公司
深圳市盛芯世纪科技有限公司
联系人：杨先生，www.dz-ic.cn
电话：0755-8397991513312996395
地址：深圳市福田区中航路都会100大厦B座6F
资质：营业执照
30
TDK
TDK
21+
-
原装正品www.dz-ic.cn

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功能描述
820nH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 1 Ohm Max 1008 (2520 Metric)
制造商
tdk corporation
系列
NLV-EFD
包装
剪切带（CT）
零件状态
停产
类型
绕线
材料 - 磁芯
铁氧体
电感
820nH
容差
±5%
额定电流
260mA
电流 - 饱和值
-
屏蔽
无屏蔽
DC 电阻（DCR）
1 欧姆最大
不同频率时的 Q 值
30 @ 25.2MHz
频率 - 自谐振
260MHz
等级
AEC-Q200
工作温度
-40°C ~ 105°C
频率 - 测试
25.2MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
1008（2520 公制）
大小/尺寸
0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安装（最大值）
0.075"（1.90mm）
标准包装
1

NLV25T-R82J-EFD 技术参数

NLV25T-R82J-EF 功能描述:820nH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 1 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:820nH 容差:±5% 额定电流:260mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:1 欧姆最大不同频率时的 Q 值:30 @ 7.96MHz 频率 - 自谐振:260MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:25.2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.075"（1.90mm）标准包装:1 NLV25T-R68J-PF 功能描述:680nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 850 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:680nH 容差:±5% 额定电流:300mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:850 毫欧最大不同频率时的 Q 值:30 @ 25.2MHz 频率 - 自谐振:300MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:25.2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.075"（1.90mm）标准包装:1 NLV25T-R68J-EFD 功能描述:680nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 850 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:680nH 容差:±5% 额定电流:300mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:850 毫欧最大不同频率时的 Q 值:30 @ 25.2MHz 频率 - 自谐振:300MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:25.2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.075"（1.90mm）标准包装:1 NLV25T-R68J-EF 功能描述:680nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 850 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:680nH 容差:±5% 额定电流:300mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:850 毫欧最大不同频率时的 Q 值:30 @ 25.2MHz 频率 - 自谐振:300MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:25.2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.075"（1.90mm）标准包装:1 NLV25T-R56J-PF 功能描述:560nH Unshielded Wirewound Inductor 325mA 750 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:560nH 容差:±5% 额定电流:325mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:750 毫欧最大不同频率时的 Q 值:30 @ 25.2MHz 频率 - 自谐振:325MHz 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:25.2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.075"（1.90mm）标准包装:1 NLV27WZ126USG NLV27WZ14DFT2G NLV27WZ16DFT2G NLV27WZ17DFT2G NLV27WZ32USG NLV27WZ86USG NLV27WZU04DFT2G NLV32T-010J-EF NLV32T-010J-EFD NLV32T-010J-PF NLV32T-010J-PFD NLV32T-012J-EF NLV32T-012J-EFD NLV32T-012J-PF NLV32T-012J-PFD NLV32T-015J-EF NLV32T-015J-EFD NLV32T-015J-PF

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