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NSM11156DW6T1G

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    NSM11156DW6T1G

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  • 深圳市欧和宁电子有限公司
    深圳市欧和宁电子有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-292759351581559886118576729816

    地址:广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

  • 82490

  • ON

  • SOT-363

  • 新年份

  • -
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  • NSM11156DW6T1G
    NSM11156DW6T1G

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  • 深圳市新良宇电子有限公司
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    联系人:李先生

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    地址:福田区振兴路华匀大厦221室

  • 56912

  • ON Semiconductor

  • TRANS BRT PNP DUAL S

  • 23+

  • -
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  • 1
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  • 功能描述
  • TRANS BRT PNP DUAL SC-88
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 3,000
  • 系列
  • -
  • 晶体管类型
  • 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)
  • 70mA,100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)
  • 50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)
  • 47k,2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)
  • 47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
  • 70 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
  • 300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)
  • -
  • 频率 - 转换
  • 100MHz,200MHz
  • 功率 - 最大
  • 250mW
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装
  • PG-SOT363-6
  • 包装
  • 带卷 (TR)
  • 其它名称
  • SP000784046
NSM11156DW6T1G 技术参数
配单专家

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