OP505D.

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制造商
TT Electronics / OPTEK Technology
功能描述
PHOTOSENSOR PHOTOTRANSISTOR OuTPuT IRR

OP505D. 技术参数

OP505D 功能描述:PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 制造商:tt electronics/optek technology 系列:* 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:935nm 视角:- 功率 - 最大值:100mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）封装/外壳:T-1 标准包装:100 OP505C 功能描述:PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 制造商:tt electronics/optek technology 系列:* 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:935nm 视角:- 功率 - 最大值:100mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）封装/外壳:T-1 标准包装:100 OP505B 功能描述:PHOTOTRANSISTOR IR 3MM 935NM NPN 制造商:tt electronics/optek technology 系列:* 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5.95mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:935nm 视角:- 功率 - 最大值:100mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）封装/外壳:T-1 标准包装:100 OP505A 功能描述:PHOTOTRANSISTOR IR 3MM 935NM NPN 制造商:tt electronics/optek technology 系列:* 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5.95mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:935nm 视角:- 功率 - 最大值:100mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）封装/外壳:T-1 标准包装:100 OP501DA 功能描述:PHOTODARLINGTON NPN BLK 0805 SMD 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 集射极击穿（最大值）:35V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:32mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:935nm 视角:150° 功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装朝向:顶视图工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:0805（2012 公制）标准包装:1 OP509A OP509B OP509C OP51508T-91NM OP515A OP515B OP515C OP515D OP516A OP516B OP516C OP516D OP520 OP520DA OP521 OP521DA OP522 OP525