OP581/ABD,029

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功能描述
MOSFET OP581/UNCASED/PUTA//
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

OP581/ABD,029 技术参数

OP580DA 功能描述:PHOTODARLINGTON NPN CLR PLCC-2 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:35V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:32mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:1μA 波长:935nm 视角:100° 功率 - 最大值:100mW 安装类型:表面贴装朝向:顶视图工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:2-PLCC 标准包装:1 OP580 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN SMD PLCC-2 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:935nm 视角:100° 功率 - 最大值:75mW 安装类型:表面贴装朝向:顶视图工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:2-PLCC 标准包装:1 OP573 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN SND REV GULL 制造商:tt electronics/optek technology 系列:* 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:935nm 视角:25° 功率 - 最大值:130mW 安装类型:表面贴装朝向:顶视图工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:2-SMD，Z形弯曲d 标准包装:1 OP572 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN 935NM YOKE 制造商:tt electronics/optek technology 系列:* 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:935nm 视角:25° 功率 - 最大值:130mW 安装类型:表面贴装朝向:顶视图工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:2-SMD，轭形弯曲标准包装:1 OP571 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN SMD GULL LD 制造商:tt electronics/optek technology 系列:* 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:935nm 视角:25° 功率 - 最大值:130mW 安装类型:表面贴装朝向:顶视图工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:2-SMD，鸥翼型标准包装:1 OP599B OP599C OP599D OP-5LM3-0455 OP-5LN1-0451 OP-5LN1-0499 OP-5LN2-0445 OP-5LW4-0456 OP600A OP600B OP600C OP602TX OP602TXV OP603TX OP603TXV OP604S OP604TX OP604TXV