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PBLS4005Y115

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PBLS4005Y115
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖先生
电话：13612973190
地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室
9000
NXP
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22+
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原厂渠道，现货配单

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PBLS4005Y115 技术参数

PBLS4005Y,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，40V 电阻器 - 基底（R1）:47 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:47 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA，2V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:300MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:PBLS4005 标准包装:1 PBLS4005V,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，40V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA，2V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:300MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PBLS4005D,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA，700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，40V 电阻器 - 基底（R1）:47 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:47 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V / 300 @ 100mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 310mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA，100nA 频率 - 跃迁:150MHz 功率 - 最大值:600mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 基本零件编号:PBLS4005 标准包装:1 PBLS4004Y,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，40V 电阻器 - 基底（R1）:22 千欧电阻器 - 发射极基底（R2）:22 千欧不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA，2V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:300MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:PBLS4004 标准包装:1 PBLS4004V,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，40V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:22k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA，2V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 频率 - 跃迁:300MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PBLSP600 PBLT0600 PBM0001 BK005 PBM0001 BK008 PBM0001 GR002 PBM0001 RD005 PBM0001 RD008 PBM0001 YL002 PBM0001 YL005 PBM0001 YL008 PBM0002 BK003 PBM0002 BK005 PBM0002 BK008 PBM0002 GR002 PBM0002 RD003 PBM0002 RD005 PBM0002 RD008 PBM0002 YL002