PC28F256P33B85D

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深圳市一线半导体有限公司
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电话：0755-8378920313332987005
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
NUMONYX
EASYBGA
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-
原装正品，欢迎订购

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制造商
Micron Technology Inc
功能描述
256MB, KEARNY EBGA 3.0 LF - Tape and Reel

PC28F256P33B85D 技术参数

PC28F256P33B85B 功能描述:IC FLASH 256MBIT 85NS 64EZBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:StrataFlash™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15）包装:托盘其它名称:71P71804S200BQ PC28F256P33B85A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 85NS 64EZBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:StrataFlash™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15）包装:托盘其它名称:71P71804S200BQ PC28F256P30TFG 功能描述:IC FLASH 256MBIT 64EZBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) PC28F256P30TFE 功能描述:IC FLASH 256MBIT 64EZBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) PC28F256P30TFA 功能描述:IC FLASH 256MBIT 100NS 64EZBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15）包装:托盘其它名称:71P71804S200BQ PC28F320J3D75A PC28F320J3D75B PC28F320J3D75B TR PC28F320J3D75D PC28F320J3D75D TR PC28F320J3D75E PC28F320J3F75A PC28F320J3F75B TR PC28F320J3F75D TR PC28F320J3F75E PC28F512G18AE PC28F512G18FE PC28F512G18FF TR PC28F512M29AWHB TR PC28F512M29AWLB TR PC28F512M29EWH3 PC28F512M29EWHA PC28F512M29EWHB TR