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PDTA115TT,215

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • PDTA115TT,215
    PDTA115TT,215

    PDTA115TT,215

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • SOT-23(TO-236AB)

  • 18+

  • -
  • TRANS PREBIAS PNP 25...

  • PDTA115TT,215
    PDTA115TT,215

    PDTA115TT,215

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人:(2014年前十佳IC供应商)

    电话:13410000176

    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质:营业执照

  • 369800

  • Nexperia(安世)

  • SOT-23

  • 刚到货

  • -
  • 代理可含税开票

  • PDTA115TT,215
    PDTA115TT,215

    PDTA115TT,215

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人:丁皓鹏

    电话:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质:营业执照

  • 10000

  • PHA

  • SOT23

  • 15+

  • -
  • 原装正品,价格优势!

  • PDTA115TT,215
    PDTA115TT,215

    PDTA115TT,215

  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Nexperia

  • 22+

  • -
  • 原装正品

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
PDTA115TT,215 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP W/RES 50V
  • RoHS
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 配置
  • 晶体管极性
  • NPN/PNP
  • 典型输入电阻器
  • 典型电阻器比率
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 200 mA
  • 最大工作频率
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 50 V
  • 集电极连续电流
  • 150 mA
  • 峰值直流集电极电流
  • 功率耗散
  • 200 mW
  • 最大工作温度
  • 封装
  • Reel
PDTA115TT,215 技术参数
  • PDTA115TM,315 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):100 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101,SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 基本零件编号:PDTA115 标准包装:1 PDTA115TK,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):100k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:1 PDTA115TE,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):100k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PDTA115EU,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):20mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):100 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2):100 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323-3 基本零件编号:PDTA115 标准包装:1 PDTA115ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):20mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):100 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2):100 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 基本零件编号:PDTA115 标准包装:1 PDTA123JE,115 PDTA123JK,115 PDTA123JM,315 PDTA123JMB,315 PDTA123JQAZ PDTA123JS,126 PDTA123JT,215 PDTA123JTVL PDTA123JU,115 PDTA123TE,115 PDTA123TK,115 PDTA123TM,315 PDTA123TMB,315 PDTA123TT,215 PDTA123TT,235 PDTA123TU,115 PDTA123YE,115 PDTA123YK,115
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