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PDTA123EMB

配单专家企业名单
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  • 说明
  • 操作
  • PDTA123EMB,315
    PDTA123EMB,315

    PDTA123EMB,315

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • 3-DFN1006B(0.6x1)

  • 18+

  • -
  • Pre-Biased Bipolar T...

  • PDTA123EMB
    PDTA123EMB

    PDTA123EMB

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01

  • 69880

  • NXP/恩智浦

  • SOT883

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • PDTA123EMB,315
    PDTA123EMB,315

    PDTA123EMB,315

  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人:(2014年前十佳IC供应商)

    电话:13410000176

    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质:营业执照

  • 369800

  • Nexperia(安世)

  • SOT-883B

  • 刚到货

  • -
  • 代理可含税开票

  • PDTA123EMB,315
    PDTA123EMB,315

    PDTA123EMB,315

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人:丁皓鹏

    电话:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质:营业执照

  • 10000

  • PHA

  • SOT883

  • 15+

  • -
  • 原装正品,价格优势!

  • 1/1页 40条/页 共40条 
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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • TRANS PNP W/RES 50V SOT883B
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • TRANS, PNP W/RES, 50V, SOT883B
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • TRANS, PNP W/RES, 50V, SOT883B, Transistor Polarity
PDTA123EMB 技术参数
  • PDTA123EM,315 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):2.2 kOhms 电阻器 - 发射极基底(R2):2.2 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 20mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101,SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 基本零件编号:PDTA123 标准包装:1 PDTA123EE,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):2.2k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 20mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:150mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PDTA115TU,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):100 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323-3 基本零件编号:PDTA115 标准包装:1 PDTA115TT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):100 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 基本零件编号:PDTA115 标准包装:1 PDTA115TM,315 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):100 kOhms 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101,SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 基本零件编号:PDTA115 标准包装:1 PDTA123JQAZ PDTA123JS,126 PDTA123JT,215 PDTA123JTVL PDTA123JU,115 PDTA123TE,115 PDTA123TK,115 PDTA123TM,315 PDTA123TMB,315 PDTA123TT,215 PDTA123TT,235 PDTA123TU,115 PDTA123YE,115 PDTA123YK,115 PDTA123YM,315 PDTA123YMB,315 PDTA123YS,126 PDTA123YT,215
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