PH1214-IOOEL

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制造商
MA-COM
制造商全称
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
功能描述
Radar Pulsed Power Transistor, lOOW, 2ms Pulse, 20% Duty 1.2 - 1.4 GHz

PH1214-IOOEL 技术参数

PH1206FKF070R02Z 功能描述:RES SMD 0.02 OHM 1% 1W 1206 制造商:yageo 系列:PH 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电阻（欧姆）:0.02 容差:±1% 功率（W）:1W 成分:厚膜特性:电流检测温度系数:±100ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:1206（3216 公制）供应商器件封装:1206 大小/尺寸:0.126" 长 x 0.063" 宽（3.20mm x 1.60mm）高度:0.033"（0.85mm）端子数:2 标准包装:1 PH1090-75L 功能描述:TRANSISTOR 75W 1030-1090MHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:70V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:10.70dB ~ 10.81dB 功率 - 最大值:75W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6A 安装类型:底座安装封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:6 PH1090-550S 功能描述:TRANSISTOR BIPOLAR 550W 1090MHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:8.06dB 功率 - 最大值:550W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:28A 安装类型:底座安装封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:6 PH1090-350L 功能描述:TRANSISTOR 350W 1090MHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:8.32dB 功率 - 最大值:350W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:17A 安装类型:底座安装封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:6 PH1090-175L 功能描述:TRANSISTOR BIPOLAR 175W 1090MHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:8.58dB 功率 - 最大值:188W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10.5A 安装类型:底座安装封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:6 PH1301ESD PH-1-30M PH1330AL,115 PH1355 PH-1400-1 PH-1400K PH-1400WK PH-1-40M PH14-10F-Q PH14-10R-Q PH14-14R-Q PH14-38R-Q PH-143Q PH14-56R-Q PH14-6F-Q PH14-6R-Q PH14-8F-Q PH14-8R-Q