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PH3134-2OL

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  • 制造商
  • MA-COM
  • 制造商全称
  • M/A-COM Technology Solutions, Inc.
  • 功能描述
  • Radar Pulsed Power Transistor, 2OW, 300ms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz
PH3134-2OL 技术参数
  • PH3134-11S 功能描述:TRANSISTOR 11W 36V 3.10-3.40GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:8dB 功率 - 最大值:11W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):- 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.3A 安装类型:底座安装 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:6 PH3120L,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):48.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4457pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):62.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.65 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PH3-101.6-38.1-0.21-1A 功能描述:Heat Sink Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...) Copper Heat Spreader 制造商:t-global technology 系列:PH3 零件状态:有效 类型:散热片 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:胶合剂 形状:矩形 长度:4.000"(101.60mm) 宽度:1.500"(38.10mm) 直径:- 离基底高度(鳍片高度):0.008"(0.21mm) 不同温升时功率耗散:- 不同强制气流时的热阻:- 自然条件下热阻:- 材料:铜 材料镀层:聚酯 标准包装:1 PH3-101.6-25.4-0.21-1A 功能描述:Heat Sink Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...) Copper Heat Spreader 制造商:t-global technology 系列:PH3 零件状态:有效 类型:散热片 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:胶合剂 形状:矩形 长度:4.000"(101.60mm) 宽度:1.000"(25.40mm) 直径:- 离基底高度(鳍片高度):0.008"(0.21mm) 不同温升时功率耗散:- 不同强制气流时的热阻:- 自然条件下热阻:- 材料:铜 材料镀层:聚酯 标准包装:1 PH3-100-100-0.21-1A 功能描述:Heat Sink Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...) Copper Heat Spreader 制造商:t-global technology 系列:PH3 零件状态:有效 类型:散热片 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:胶合剂 形状:方形 长度:3.937"(100.00mm) 宽度:3.937"(100mm) 直径:- 离基底高度(鳍片高度):0.008"(0.21mm) 不同温升时功率耗散:- 不同强制气流时的热阻:- 自然条件下热阻:- 材料:铜 材料镀层:聚酯 标准包装:1 PH-31-A PH-31-B PH-31-G PH-31-R PH-31-W PH-31-Y PH3-222-165-0.21-1A PH3230S,115 PH3-300-300-0.21-1A PH3330L,115 PH3343L PH3343P PH3344K PH3344O PH3355 PH3430AL,115 PH35 PH3-50.8-12.7-0.21-1A
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