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PHB11N06LT,118

配单专家企业名单
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  • PHB11N06LT,118
    PHB11N06LT,118

    PHB11N06LT,118

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • D2PAK

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 55V 10.3...

  • PHB11N06LT,118
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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • D2PAK

  • 17+

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  • 全新原装现货

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!

  • PHB11N06LT,118
    PHB11N06LT,118

    PHB11N06LT,118

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:胡泽君

    电话:18998911795

    地址:深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602

    资质:营业执照

  • 1000

  • NXP USA Inc.

  • 原厂封装

  • 20+

  • -
  • PHB11N06LT,118
    PHB11N06LT,118

    PHB11N06LT,118

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:廖小姐

    电话:18998919871

    地址:深圳市福田区振兴路上步工业区405栋6楼601-602

  • 1000

  • NXP USA Inc.

  • 管件

  • 20+

  • -
  • 原装正品,专注原装正品十五年

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PHB11N06LT,118 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET TAPE13 PWR-MOS
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
PHB11N06LT,118 技术参数
  • PHB110NQ08T,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):113.1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4860pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):230W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 PHB110NQ06LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3960pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 PHB101NQ04T,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):36.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2020pF @ 25V 功率 - 最大值:157W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 PHA6UOA 功能描述:Pushbutton Switch 6PDT Standard Through Hole, Right Angle 制造商:c&k components 系列:PHA 包装:散装 零件状态:过期 类型:标准 电路:6PDT 开关功能:开-瞬时 额定电流:100mA(DC) 额定电压 - AC:- 额定电压 - DC:30V 致动器类型:帽盖 颜色 - 致动器/盖帽:白 照明类型,颜色:- 照明电压(标称值):- 安装类型:通孔,直角 端子类型:PC 引脚 侵入防护:- 特性:环氧树脂密封端子 面板开口尺寸:- 工作温度:-10°C ~ 60°C 机械寿命:- 电气寿命:10,000 次循环 标准包装:400 PHA6UEE 功能描述:Pushbutton Switch 6PDT Standard Through Hole, Right Angle 制造商:c&k components 系列:PHA 包装:散装 零件状态:过期 类型:标准 电路:6PDT 开关功能:开-开 额定电流:100mA(DC) 额定电压 - AC:- 额定电压 - DC:30V 致动器类型:帽盖 颜色 - 致动器/盖帽:白 照明类型,颜色:- 照明电压(标称值):- 安装类型:通孔,直角 端子类型:PC 引脚 侵入防护:- 特性:环氧树脂密封端子 面板开口尺寸:- 工作温度:-10°C ~ 60°C 机械寿命:- 电气寿命:10,000 次循环 标准包装:400 PHB18NQ10T,118 PHB191NQ06LT,118 PHB193NQ06T,118 PHB20N06T,118 PHB20NQ20T,118 PHB21N06LT,118 PHB222NQ04LT,118 PHB225NQ04T,118 PHB23NQ10LT,118 PHB27NQ10T,118 PHB29N08T,118 PHB32N06LT,118 PHB33NQ20T,118 PHB38N02LT,118 PHB45NQ10T,118 PHB45NQ15T,118 PHB47NQ10T,118 PHB55N03LTA,118
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