您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

PHP33NQ06L

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PHP33NQ06L
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3555
Philips
ROHS
201320+
-
原装正品，现货库存。400-800-03...

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： PHP33NQ20T,127 PHP34NQ11T,127 PHP36N03LT,127 PHP440 PHP45N03LTA,127 PHP45NQ10T,127 PHP45NQ10TA,127 PHP45NQ11T,127 PHP45NQ15T,127

PHP33NQ06L PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

PHP33NQ06L 技术参数

PHP30NQ15T,127 功能描述:MOSFET N-CH 150V 29A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:29A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:55nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2390pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:63 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PHP29N08T,127 功能描述:MOSFET N-CH 75V 27A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:11V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:19nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:810pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:88W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 14A，11V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PHP28NQ15T,127 功能描述:MOSFET N-CH 150V 28.5A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28.5A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1250pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 18A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PHP27NQ11T,127 功能描述:MOSFET N-CH 110V 27.6A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:110V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1240pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:107W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 14A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PHP23NQ11T,127 功能描述:MOSFET N-CH 110V 23A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:110V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:22nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:830pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 13A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PHP47NQ10T,127 PHP500 PHP52N06T,127 PHP54N06T,127 PHP55N03LTA,127 PHP60 PHP63NQ03LT,127 PHP66NQ03LT,127 PHP71NQ03LT,127 PHP73N06T,127 PHP75NQ08T,127 PHP78NQ03LT,127 PHP79NQ08LT,127 PHP8.4 PHP83N03LT,127 PHP96NQ03LT,127 PHP9NQ20T,127 PH-PCBA1