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PME261EB5470KR30

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  • 功能描述
  • 薄膜电容器 630volts 0.047uF 10% LS 15.2mm
  • RoHS
  • 制造商
  • Cornell Dubilier
  • 产品类型
  • 电介质
  • Polyester
  • 电容
  • 0.047 uF
  • 容差
  • 10 %
  • 电压额定值
  • 100 V
  • 系列
  • 225P
  • 工作温度范围
  • - 55 C to + 85 C
  • 端接类型
  • Radial
  • 引线间隔
  • 9.5 mm
PME261EB5470KR30 技术参数
  • PMDXB950UPEZ 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 500mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):43pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN1010B-6 标准包装:1 PMDXB950UPELZ 功能描述:20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 500mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):43pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN1010B-6 标准包装:1 PMDXB950UPE 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 500mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):43pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-DFN(1.1x1) 标准包装:1 PMDXB600UNEZ 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):600mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):620 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):21.3pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN1010B-6 标准包装:1 PMDXB600UNELZ 功能描述:20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):600mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):620 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):21.3pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN1010B-6 标准包装:1 PME264NE6100MR30 PME271E510MR30 PME271E522MR30 PME271E547MR30 PME271E610MR30 PME271E622KR30 PME271ED6100MR30 PME271ED6150KR30 PME271ED6220KR30 PME271M422MR30 PME271M447MR30 PME271M510MR30 PME271M522MR30 PME271M533MR30 PME271M547MR19T0 PME271M547MR30 PME271M568MR30 PME271M610MR30
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