PMF4118VSF

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1/1页 40条/页共2条
1

您是不是要找： PM-F44 PM-F44-C3 PM-F44P PM-F44P-C3 PM-F45 PM-F45-C3 PM-F45-P PM-F45-P-C3 PMF-4V320WCAB

PMF4118VSF PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

PMF4118VSF PDF下载

功能描述
DC/DC转换器 .55-1.8 Vdc 10A Iso Input 3.3V 18W
RoHS
否
制造商
Murata
产品
输出功率
输入电压范围
3.6 V to 5.5 V
输入电压（标称）
输出端数量
1
输出电压（通道 1）
3.3 V
输出电流（通道 1）
600 mA
输出电压（通道 2）
输出电流（通道 2）
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体尺寸

PMF4118VSF 技术参数

PMF400UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 830MA SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:830mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:560mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 PMF3800SN,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.85nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:560mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 PMF370XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.87A SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:870mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.65nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:37pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:560mW（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:440 毫欧 @ 200mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-323-3 封装/外壳:SC-70，SOT-323 标准包装:1 PMF290XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:350 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:34pF @ 20V 功率 - 最大值:560mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 PMF280UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.02A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:340 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 20V 功率 - 最大值:560mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 PMF-4V320WCAR PMF-4V320WCGB PMF-4V320WCGR PMF500 PM-F54 PM-F54P PMF-5V320WCAB PMF-5V320WCAR PMF-5V320WCGB PMF-5V320WCGR PMF625 PMF63UN,115 PMF63UNEAX PMF63UNEX PM-F64 PM-F64P PM-F65 PM-F65-P