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PMR31K200

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PMR31K200 技术参数
  • PMR290XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.97A SOT416 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):970mA(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):350 毫欧 @ 200mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):34pF @ 20V 功率 - 最大值:530mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PMR290UNE,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 700MA SC-75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):700mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 500mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):83pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PMR280UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.98A SOT416 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):980mA(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):340 毫欧 @ 200mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):45pF @ 20V 功率 - 最大值:530mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 PM-R25-R 功能描述:SENSOR SLOT NPN CABLE 3M 制造商:panasonic industrial automation sales 系列:PM-25 零件状态:有效 感应距离:0.236"(6mm) 感应方法:可传导的 输出配置:NPN - 开路集电极 安装类型:底座安装 电流 - 电源:15mA 电压 - 电源:5 V ~ 24 V 响应时间:20μs 工作温度:-25°C ~ 55°C(TA) 封装/外壳:模块,引线,槽型 标准包装:1 PM-R25-P 功能描述:SENSOR SLOT PNP 制造商:panasonic industrial automation sales 系列:PM-25 零件状态:有效 感应距离:0.236"(6mm) 感应方法:可传导的 输出配置:PNP - 开路集电极 安装类型:底座安装 电流 - 电源:15mA 电压 - 电源:5 V ~ 24 V 响应时间:20μs 工作温度:-25°C ~ 55°C(TA) 封装/外壳:模块,引线,槽型 标准包装:1 PM-R45-P-C3 PMR4AD PMR4ADW6.0 PMR4ADW6.0-CC PMR4BWD PMR4BWDW6.0 PMR4GD PMR4GDW4.0-CC PMR4GDW6.0 PMR4GDW6.0-CC PMR4HD PMR4HDW6.0 PMR4PGD PMR4PGDW2.0 PMR4PGDW6.0 PMR4PGDW6.0-CC PMR4RD PMR4RDW2.0
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