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PSMNO57-200B

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PSMNO57-200B 技术参数

PSMN9R8-30MLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:690pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.8 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）标准包装:1 PSMN9R5-30YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A LL LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:681pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:34W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.8 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN9R5-100XS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 44.2A TO220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:44.2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.6 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:81.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4454pF @ 50V 功率 - 最大值:52.6W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 PSMN9R5-100PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:82nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4454pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:211W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN9R5-100BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:82nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4454pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:211W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PSMP-FSBA-2380 PSMP-FSBA-2580 PSMP-MSLD-CSB PSMP-MSLD-PCE PSMP-MSLD-PCS PSMP-MSLD-PCSEM PSMP-MSLD-PCT1R PSMP-MSLD-PCT25 PSMP-MSLD-PCT35 PSMP-MSLD-PCTEM PSMP-MSSB-CSB PSMP-MSSB-PCS PSMP-MSSB-PCT1R PSMP-MSSB-PCT35 PSM-P-Y PS-MQX-MAINTMULT PS-MQX-MAINTPRFM PS-MQX-MAINTS