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PUMD15115

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    PUMD15115

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  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人:林小姐//方先生

    电话:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处:北京海春路中发大厦60淀区知

  • 3000

  • PH3

  • 2012+

  • -
  • 只做原装正品。

  • PUMD15115
    PUMD15115

    PUMD15115

  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:苗凤军

    电话:17623594308

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 4838

  • Nexperia(安世)

  • 6-TSSOP

  • 2223+

  • -
  • 十年专营,供应原装正品!热卖现货!

  • 1/1页 40条/页 共1条 
  • 1
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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • BRT TRANSISTOR NPN & PNP 50V 100MA 2
PUMD15115 技术参数
  • PUMD15,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PUMD13,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:MD13 标准包装:1 PUMD12,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):47 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:230MHz,180MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:MD12 标准包装:1 PUMD10,115 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):47 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:230MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:MD10 标准包装:1 PUMB3,115 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1):4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 频率 - 跃迁:- 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PUMD2/DG/B3,135 PUMD20,115 PUMD24,115 PUMD3,115 PUMD3,125 PUMD3,135 PUMD3,165 PUMD30,115 PUMD4,115 PUMD48,115 PUMD48,125 PUMD48,165 PUMD6,115 PUMD6,125 PUMD6,135 PUMD6/ZLF PUMD6/ZLX PUMD9,115
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