R1LV0408DSB-7LIS0

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R1LV0408DSB-7LIS0 技术参数

R1LV0408DSB-7LI#S0 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 512K x 8 70ns 32-Pin TSOP-II 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM ASYNC SGL 3V 4MBIT 512KX8 70NS 32TSOP-II - Tape and Reel 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM 4MBIT 70NS 32TSOP 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:. R1LV0408DSB-7LI#B0 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 512K x 8 70ns 32-Pin TSOP-II 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:4M SRAM - Bulk 制造商:Renesas Electronics 功能描述:SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 512K x 8 70ns 32-Pin TSOP-II Tray 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM 4MBIT 70NS 32TSOP 制造商:Renesas 功能描述:SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 512K x 8 70ns 32-Pin TSOP-II R1LV0408DSB-5SR#S0 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 512K x 8 55ns 32-Pin TSOP-II 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:4MB ADV. SRAM, I-TEMP, TSOP/T&R/PB-FREEE - Tape and Reel 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM 4MBIT 55NS 32TSOP R1LV0408DSB-5SR#B0 功能描述:IC SRAM 8BIT 55NS 32TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16）速度:- 接口:并联电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 R1LV0408DSB-5SI#S0 功能描述:IC SRAM 8BIT 55NS 32TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽）供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 R1LV0414DSB-7LI#B0 R1LV0414DSB-7LI#S0 R1LV0416DBG-5SI#B0 R1LV0416DBG-5SI#S0 R1LV0416DBG-7LI#B0 R1LV0416DBG-7LI#S0 R1LV0416DSB-5SI#B0 R1LV0416DSB-5SI#S0 R1LV0416DSB-7LI#B0 R1LV0416DSB-7LI#S0 R1LV0808ASB-5SI#B0 R1LV0808ASB-5SI#S0 R1LV0808ASB-7SI#B0 R1LV0808ASB-7SI#S0 R1LV0816ABG-5SI#B0 R1LV0816ABG-5SI#S0 R1LV0816ABG-7SI#B0 R1LV0816ABG-7SI#S0