S29GL512NIFFI01

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S29GL512NIFFI01 技术参数

S29GL512N11TFI020 功能描述:IC FLASH 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包装:托盘零件状态:停產存储器类型:非易失存储器格式:闪存技术:FLASH - NOR 存储容量:512Mb （64M x 8，32M x 16）写周期时间 - 字，页:110ns 访问时间:110ns 存储器接口:并联电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商器件封装:56-TSOP 标准包装:91 S29GL256S90TFI023 功能描述:闪存 256Mb 3V 90ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL256S90TFI020 功能描述:闪存 256Mb 3V 90ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL256S90TFI010 功能描述:闪存 256Mb 3V 90ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL256S90FHI023 制造商:Spansion 功能描述:256 MBIT, 3V, 90N, FBGA, PAGE MODE FLASH - Trays S29GL512P10FFCR102 S29GL512P10FFCR10A S29GL512P10FFCR12 S29GL512P10FFCR20 S29GL512P10FFCR202 S29GL512P10FFCR20A S29GL512P10FFI010 S29GL512P10FFI020 S29GL512P10FFIR10 S29GL512P10FFIR102 S29GL512P10FFIR10A S29GL512P10FFIR10B S29GL512P10FFIR10W S29GL512P10FFIR12 S29GL512P10FFIR20 S29GL512P10FFIR202 S29GL512P10FFIR20A S29GL512P10FFIR23