SD1084M

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SD1084M
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
7500
SD
SOT-263
00+
-
全新原装现货

SD1084M
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
SD
TO-263
22+
-
十年配单，只做原装

SD1084M
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
SD
TO-263
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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SD1084M 技术参数

SD10-6R2-R 功能描述:6.2μH Shielded Wirewound Inductor 940mA 218 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:SD 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:6.2μH 容差:±20% 额定电流:940mA 电流 - 饱和值:920mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:218 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.204" 长 x 0.204" 宽（5.20mm x 5.20mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 SD10-4R7-R 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.04A 153.5 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:SD 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:1.04A 电流 - 饱和值:1.08A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:153.5 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.204" 长 x 0.204" 宽（5.20mm x 5.20mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 SD10-4R7 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.04A 153.5 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:SD 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:1.04A 电流 - 饱和值:1.08A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:153.5 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.204" 长 x 0.204" 宽（5.20mm x 5.20mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 SD10-3R3-R 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 1.24A 107.8 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:SD 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:1.24A 电流 - 饱和值:1.31A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:107.8 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.204" 长 x 0.204" 宽（5.20mm x 5.20mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 SD103B-F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 350MA DO35 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:350mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:10ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 20V 不同?Vr，F 时的电容:50pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:10,000 SD10H1B SD10H1SB SD10H1SBD SD10H1SK SD10-R47-R SD1101002-11 SD-110-G-2 SD-110-T-2 SD-1110 SD-1111 SD112-42-11-221 SD112-43-11-221 SD112-45-11-221 SD1127 SD-112-G-2 SD-112-T-38 SD-1130 SD-1131