SDP8405-132

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

没找到与 " SDP8405-132 " 相关的供应商

您可以：

1. 缩短或修改您的搜索词，重新搜索

2. 发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复发布紧急采购

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： SDP8406-001 SDP8406-002 SDP8406-003 SDP8406-004 SDP8407-001 SDP8436-001 SDP8436-002 SDP8436-003 SDP8436-004

SDP8405-132 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SDP8405-132 技术参数

SDP8405-014 功能描述:PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:* 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.85mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:935nm 视角:20° 功率 - 最大值:70mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:径向标准包装:1 SDP8405-013 功能描述:PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:* 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:0.92mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:935nm 视角:20° 功率 - 最大值:70mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:径向标准包装:1 SDP8405-003 功能描述:PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:* 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:24mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:935nm 视角:20° 功率 - 最大值:70mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:径向，3mm 直径（T-1）标准包装:1 SDP8405-002 功能描述:PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:* 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:935nm 视角:20° 功率 - 最大值:70mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:径向，3mm 直径（T-1）标准包装:1 SDP8371-001 功能描述:PHOTOTRANSISTOR SIDE-LOOKING 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:- 零件状态:过期波长:880nm 类型:光电探测器 - 逻辑输出输出类型:开路集电极封装/外壳:径向，3 引线，侧视图工作温度:-40°C ~ 70°C（TA）标准包装:1 SDP8475-201 SDP8476-201 SDP8600-001 SDP8600-002 SDP8600-003 SDP8601-001 SDP8601-002 SDP8601-003 SDP8602-001 SDP8602-003 SDP8604-301 SDP8610-001 SDP8610-002 SDP8610-003 SDP8611-001 SDP8611-002 SDP8611-003 SDP8614-301