SDP8436-2TR

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封装
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说明
操作

SDP8436-2TR
北京杰创宏达电子有限公司
北京杰创宏达电子有限公司
联系人：沈小姐/伊小姐
电话：010-61190909
地址：北京市海淀区安宁庄26号悦MOMA701室
资质：营业执照
1000
Honeywell
Sensor
24+
-
授权代理商

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1

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功能描述
光电晶体管 INFRARED SENSORS
RoHS
否
制造商
OSRAM Opto Semiconductors
最大功率耗散
165 mW
最大暗电流
200 nA
封装 / 箱体
T-1

SDP8436-2TR 技术参数

SDP8436-003 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN SIDE LOOK 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:* 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:17mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:880nm 视角:18° 功率 - 最大值:100mW 安装类型:通孔，直角朝向:侧视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:径向标准包装:1 SDP8436-002 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN SIDE LOOK 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:* 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:880nm 视角:18° 功率 - 最大值:100mW 安装类型:通孔，直角朝向:侧视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:径向标准包装:1 SDP8407-001 功能描述:PHOTOTRANSISTR SILICON NPN 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:- 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:880nm 视角:135° 功率 - 最大值:100mW 安装类型:通孔朝向:顶视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:径向标准包装:1 SDP8406-004 功能描述:PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:- 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:935nm 视角:50° 功率 - 最大值:100mW 安装类型:通孔，直角朝向:侧视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:径向标准包装:1 SDP8406-003 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN SIDE LOOK 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6.5mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波长:935nm 视角:50° 功率 - 最大值:100mW 安装类型:通孔，直角朝向:侧视图工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:径向标准包装:1 SDP8602-003 SDP8604-301 SDP8610-001 SDP8610-002 SDP8610-003 SDP8611-001 SDP8611-002 SDP8611-003 SDP8614-301 SDP-FMC-IB1Z SDP-FPGA-FA1Z SDPGB0015PG5 SDPGB0030PG5 SDPGB0100PG5 SDPGB0200PG5 SDPGB0300PG5 SDPGB0500PG5 SDPGB1000PG5