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SI4126-GM

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  • 深圳市深科创科技有限公司
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    地址：深圳市福田区航都大厦17F1可提供13%增值税发票

  • 7500

  • SILICON

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司
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    深圳市轩盛达电子有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司
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SI4126-GM 技术参数
  • SI4126-F-GMR 功能描述:射频无线杂项 WLAN Synthesizer RF2/IF RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel SI4126-F-GM 功能描述:射频无线杂项 WLAN Synthesizer (RF2 IF) RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel SI4126-F-BMR 功能描述:IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 接口 - 驱动器，接收器，收发器 系列:- 标准包装:1,140 系列:AU 类型:收发器 驱动器/接收器数:1/1 规程:CAN 电源电压:5.3 V ~ 27 V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:14-SO 包装:管件 其它名称:935267940512AU5790D14AU5790D14-ND SI4126-F-BM 功能描述:射频无线杂项 WLAN SYNTHSIZER MLP-28 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel SI4126-BM 功能描述:射频无线杂项 USE 634-SI4126-F-BM FOR NEW DESIGNS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel SI4133-EVB SI4133GX2-BM SI4133GX2M-EVB SI4133M-EVB SI4133T-BM SI4133T-GM SI4133WM-EVB SI4134DY-T1-E3 SI4134DY-T1-GE3 SI4134T-BM SI4134T-GM SI4136-BM SI4136-BT SI4136DY-T1-GE3 SI4136-EVB SI4136-F-BM SI4136-F-BT SI4136-F-GM
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