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SI9942DY-E3

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  • 深圳市新良宇电子有限公司
    深圳市新良宇电子有限公司

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SI9942DY-E3 技术参数
  • SI9913DY-T1-E3 功能描述:功率驱动器IC Dual MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SI9912DY-T1-E3 功能描述:功率驱动器IC Dual MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SI9912DY-E3 功能描述:功率驱动器IC H-Bridge MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SI9910DY-T1-E3 功能描述:功率驱动器IC MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SI9910DY-E3 功能描述:功率驱动器IC DRVR 1A Sngl. Non-Inv Hi Side RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SI9979DS-E3 SI9986CY-E3 SI9986CY-T1-E3 SI9986DY-E3 SI9986DY-T1-E3 SI9987CY-E3 SI9987CY-T1-E3 SI9987DY-E3 SI9987DY-T1-E3 SI9988DQ-T1-E3 SIA400EDJ-T1-GE3 SIA406DJ-T1-GE3 SIA408DJ-T1-GE3 SIA411DJ-T1-E3 SIA411DJ-T1-GE3 SIA413ADJ-T1-GE3 SIA413DJ-T1-GE3 SIA414DJ-T1-GE3
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