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SIDC06D120H6ZJ

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SIDC06D120H6ZJ 技术参数
  • SID1183K-TL 功能描述:IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 SID1183K 功能描述:DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件状态:在售 标准包装:48 SID1182K-TL 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 技术:磁耦合 通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):340ns,330ns 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):90ns,81ns 电流 - 输出高,低:3.6A,4A 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向(Vf)(典型值):- 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-PowerSOIC(0.350",8.89mm 宽),15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标准包装:1 SID1182K 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包装:管件 零件状态:在售 技术:磁耦合 通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):340ns,330ns 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):90ns,81ns 电流 - 输出高,低:3.6A,4A 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向(Vf)(典型值):- 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-PowerSOIC(0.350",8.89mm 宽),15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标准包装:48 SID1152K-TL 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 技术:磁耦合 通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):340ns,330ns 脉宽失真(最大):- 上升/下降时间(典型值):225ns,225ns(最大) 电流 - 输出高,低:2.4A,2.6A 电流 - 峰值输出:5A 电压 - 正向(Vf)(典型值):- 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-PowerSOIC(0.350",8.89mm 宽),15 引线 供应商器件封装:eSOP-R16B 标准包装:1 SIDC07D60E6 SIDC07D60E6X1SA1 SIDC07D60F6 SIDC07D60F6X1SA2 SIDC08D120F6 SIDC08D120F6X1SA3 SIDC08D120H6 SIDC08D120H6X1SA1 SIDC08D60C6 SIDC08D60C6Y SIDC09D60E6 SIDC09D60E6 UNSAWN SIDC09D60E6X1SA1 SIDC09D60E6Y SIDC09D60E6YX1SA1 SIDC09D60F6 SIDC09D60F6X1SA2 SIDC10D120H6
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