SIP41112DYP-T1-E3

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SIP41112DYP-T1-E3 技术参数

SIP41111DY-T1-E3 功能描述:功率驱动器IC H-Bridge N-Ch MOSFET RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SIP41109DY-T1-E3 功能描述:功率驱动器IC H-Bridge N-Ch MOSFET RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SIP41104DY-T1-E3 功能描述:功率驱动器IC H-Bridge N-Ch MOSFET RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SIP41103DM-T1-E3 功能描述:功率驱动器IC H-Bridge N-Ch MOSFET RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SIP41101DQ-T1-E3 功能描述:功率驱动器IC H-Bridge N-Ch High Side MOSFET RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube SIP4282ADVP-3-E3 SIP4282ADVP3-T1GE3 SIP4282DNP3-T1GE4 SIP4282DVP-3-T1-E3 SIP4282DVP3-T1GE3 SIP43101DLP-T1-E3 SIP43101DQ-T1-E3 SIP43102DLP-T1-E3 SIP43102DQ-T1-E3 SIP4610ADT-T1-E3 SIP4610BDT-T1-E3 SIP4612ADVP-T1-E3 SIP4612BDVP-T1-E3 SIP4613ADVP-T1-E3 SIP4613BDVP-T1-E3 SIP501.2LT SIP501.2LTR SIP501.5LT