SN75469J

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SN75469J 技术参数

SN75469DR 功能描述:TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:1 SN75469D 功能描述:TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:40 SN75468NSR 功能描述:TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）供应商器件封装:16-SO 标准包装:1 SN75468N 功能描述:TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A DIP 制造商:texas instruments 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:16-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:16-PDIP 标准包装:25 SN75468DR 功能描述:TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:7 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:1 SN75472P SN75472PE4 SN75472PG4 SN75477D SN75477DE4 SN75477DG4 SN75477DR SN75477DRE4 SN75477P SN75477PE4 SN75477PG4 SN75478P SN75970B1DL SN75970B1DLR SN75970B1DLRG4 SN75970B2DGG SN75970B2DGGR SN75970B2DGGRG4