STB80NE03L-06_06

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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全称
STMicroelectronics
功能描述
N-channel 30V - 0.005ohm - 85A - D2PAK STripFET TM Power MOSFET

STB80NE03L-06_06 技术参数

STB80N4F6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2150pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK（TO-263）标准包装:1 STB80N20M5 功能描述:MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:61A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 30.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:104nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4329pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB7NK80ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1138pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB7NK80Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1138pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STB7N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525V 6.2A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:525V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:980 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:737pF @ 100V 功率 - 最大值:90W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB80NF55L-06T4 STB80NF55L-08-1 STB80PF55T4 STB85NF3LLT4 STB85NF55LT4 STB85NF55T4 STB85NS04Z STB8N65M5 STB8N90K5 STB8NM60D STB8NM60N STB8NM60T4 STB95N3LLH6 STB95N4F3 STB9NK50ZT4 STB9NK60ZDT4 STB9NK60ZT4 STB9NK70Z-1