STB85NF3LL-1

配单专家企业名单

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说明
操作

STB85NF3LL-1
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
NULL
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品，质量保障

STB85NF3LL-1
深圳市佳鑫特电子有限公司
深圳市佳鑫特电子有限公司
联系人：陈
电话：134105056520755-83512964
地址：深圳市福田区佳和大厦B座2311
8800
ST
TO-262
11+
-
原厂原包装现货

STB85NF3LL-1
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
5000
isc,iscsemi
I2PAK/TO-262
2024+
-
国产品牌，可替代原装

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1

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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全称
STMicroelectronics
功能描述
N-CHANNEL 30V - 0.006ohm - 85A TO-220/I2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET

STB85NF3LL-1 技术参数

STB80PF55T4 功能描述:MOSFET P-CH 55V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:258nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB80NF55L-08-1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:100nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4350pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STB80NF55L-06T4 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:136nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4850pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB80NF55-08T4 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:155nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3850pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB80NF55-08AG 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:112nC @ 10V Vgs（最大值）:- FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 STB95N3LLH6 STB95N4F3 STB9NK50ZT4 STB9NK60ZDT4 STB9NK60ZT4 STB9NK70Z-1 STB9NK70ZT4 STB9NK80Z STB9NK90Z STBB1-APUR STBB1PUR STBB2J29-R STBB2J30-R STBB2JAD-R STBB3JCCR STBB3JR STBC02AJR STBC02BJR