STD17W-BLANK

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STD17W-BLANK
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
10000
RAYCHEM
标准封装
15+
-
原装正品质量保障

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STD17W-BLANK 技术参数

STD17NF25 功能描述:MOSFET N-CH 250V 17A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:165 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1000pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD17NF03LT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:320pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD17NF03L-1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:320pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STD170N4F7AG 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:63nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4350pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:172W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 毫欧 @ 40A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 STD16NF25 功能描述:MOSFET N-CH 250V 13A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:235 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:680pF @ 25V 功率 - 最大值:85W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD17W-K STD17W-L STD17W-M STD17W-N STD17W-P STD17W-Q STD17W-R STD17W-S STD17W-SLASH STD17W-T STD17W-U STD17W-V STD17W-W STD17W-X STD17W-Y STD17W-Z STD1802T4 STD1802T4-A