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STD3055

配单专家企业名单
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  • STD3055L2-60
    STD3055L2-60

    STD3055L2-60

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • SAMHOP

  • 08+/pb

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • STD3055VLT4
    STD3055VLT4

    STD3055VLT4

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • ON

  • 原装正品

  • 09/10+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • STD3055L2-60
    STD3055L2-60

    STD3055L2-60

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质:营业执照

  • 18530

  • SAMHOP

  • 11PBF

  • 22+

  • -
  • 全新原装正品现货

  • STD3055L
    STD3055L

    STD3055L

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 5000

  • isc,iscsemi

  • DPAK/TO-252

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • STD3055L
    STD3055L

    STD3055L

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • S

  • TO-252D

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • STD3055ELT4
    STD3055ELT4

    STD3055ELT4

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 876500

  • MOTOROLA

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!!

  • STD3055L2-60
    STD3055L2-60

    STD3055L2-60

  • 深圳市艾飞琪电子科技有限公司
    深圳市艾飞琪电子科技有限公司

    联系人:曹先生

    电话:0755-239499810755-23037082

    地址:深圳市福田区都会大厦B座29S

  • 30000

  • SAMHOP

  • TO251

  • 12+

  • -
  • 全新原装现货

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STD3055 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
STD3055 技术参数
  • STD2NK90ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.1A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 欧姆 @ 1.05A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):485pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD2NK90Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.1A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 欧姆 @ 1.05A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):485pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STD2NK70ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 700V 1.6A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):700V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.6A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 欧姆 @ 800mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):280pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD2NK70Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 700V 1.6A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):700V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.6A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 欧姆 @ 800mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):280pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STD2NK60Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 欧姆 @ 700mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):170pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 STD30PF03L-1 STD30PF03LT4 STD3155L104T4G STD32 STD35N3LH5 STD35NF06LT4 STD35NF06T4 STD35NF3LLT4 STD35P6LLF6 STD36NH02L STD36P4LLF6 STD37P3H6AG STD38NH02L-1 STD38NH02LT4 STD3LN62K3 STD3LN80K5 STD3N40K3 STD3N62K3
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