STD6N10L

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型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STD6N10LT4
深圳市企诺德电子有限公司
深圳市企诺德电子有限公司
联系人：胡
电话：13480313979
地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB
资质：营业执照
15000
ST
N/A
22+
-
原装正品专业BOM配单

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功能描述
MOSFET TO-252 N-CH 100V 6A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

STD6N10L 技术参数

STD65NF06 功能描述:MOSFET N-CH 60V 60A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1700pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD65N55LF3 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2200pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD65N55F3 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2200pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD65N3LLH5 功能描述:MOSFET N CH 30V 65A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:65A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.9 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1290pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD64N4F6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 54A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，STripFET? F6 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:54A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.2 毫欧 @ 27A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2415pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD6NM60N STD6NM60N-1 STD70N02L STD70N02L-1 STD70N03L STD70N03L-1 STD70N10F4 STD70N2LH5 STD70N6F3 STD70NH02LT4 STD70NS04ZL STD724T4 STD75N3LLH6 STD78N75F4 STD790AT4 STD7ANM60N STD7LN80K5 STD7N52DK3