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STD6N62K3-1

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    STD6N62K3-1

    STD6N62K3-1

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

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STD6N62K3-1 技术参数
  • STD6N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):620V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.28 欧姆 @ 2.8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):706pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD6N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 2.25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):232pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD6N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525V 5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):525V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:70W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD65NF06 功能描述:MOSFET N-CH 60V 60A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):75nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1700pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD65N55LF3 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 毫欧 @ 32A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2200pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD70N02L-1 STD70N03L STD70N03L-1 STD70N10F4 STD70N2LH5 STD70N6F3 STD70NH02LT4 STD70NS04ZL STD724T4 STD75N3LLH6 STD78N75F4 STD790AT4 STD7ANM60N STD7LN80K5 STD7N52DK3 STD7N52K3 STD7N60M2 STD7N65M2
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