STDS75M2F/BKN

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STDS75M2F/BKN 技术参数

STDS75M2F 功能描述:SENSOR TEMPERATURE I2C/SMBUS 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期传感器类型:数字，本地检测温度 - 本地:-55°C ~ 125°C 检测温度 - 远程:- 输出类型:I2C/SMBus 电压 - 电源:2.7 V ~ 5.5 V 分辨率:11 b 特性:输出开关，可编程极限，可编程分辨率，关断模式，待机模式精度 - 最高（最低）:±2°C（±3°C）测试条件:-25°C ~ 100°C（-55°C ~ 125°C）工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STDS75DS2F 功能描述:SENSOR TEMP I2C/SMBUS 8MSOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效传感器类型:数字，本地检测温度 - 本地:-55°C ~ 125°C 检测温度 - 远程:- 输出类型:I2C/SMBus 电压 - 电源:2.7 V ~ 5.5 V 分辨率:11 b 特性:输出开关，可编程极限，可编程分辨率，关断模式，待机模式精度 - 最高（最低）:±2°C（±3°C）测试条件:-25°C ~ 100°C（-55°C ~ 125°C）工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商器件封装:8-MSOP 标准包装:1 STDLED656 功能描述:MOSFET N-CH 650V 6A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.3 欧姆 @ 2.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:895pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STDLED625H 功能描述:MOSFET N-CH 620V 4.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:620V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 1.9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:560pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STDC-105 功能描述:TIP REPL DESOLDER ID=.05" 700SER 制造商:oki/metcal 系列:STDC 700 零件状态:停产尖头 - 类型:脱焊尖头 - 尺寸:0.050" 内径 x 0.080" 外径（1.27mm x 2.03mm）尖头 - 形状:尖嘴盒温度范围:- 配套使用产品/相关产品:MX-DS1 标准包装:1 STE10000-10T4MI STE1000-60T4KI STE1000-60T4MI STE100S STE100STR STE-1042609RFRC STE110-50T1KI STE110NS20FD STE115A10-Z STE115A12-Z STE115D10-Z STE-1188751RFSP STE-1188987RFSP STE-1189618RFRX STE-1189974RFIS STE-1189975RFIS STE-1189976RFIS STE-1190527RF95