STE110NS20FD.

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制造商
STMicroelectronics
功能描述
MOSFET N ISOT-OP

STE110NS20FD. 技术参数

STE110NS20FD 功能描述:MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:110A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:504nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7900pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 STE-1042609RFRC 功能描述:MAGNET ROUND AXIAL CHASSIS MNT 制造商:steute wireless 系列:- 零件状态:在售形状:圆形磁化:轴向材料:- 表面:- 等级:- 高斯强度:- 尺寸:0.886" 直径 x 0.335" 高（22.50mm x 8.50mm）工作温度:- 标准包装:1 STE100STR 功能描述:以太网 IC Fast Ethernet Cont RoHS:否制造商:Micrel 产品:Ethernet Switches 收发器数量:2 数据速率:10 Mb/s, 100 Mb/s 电源电压-最大:1.25 V, 3.45 V 电源电压-最小:1.15 V, 3.15 V 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:QFN-64 封装:Tray STE100S 功能描述:电信集成电路 Fast Ethernet Cont RoHS:否制造商:STMicroelectronics 类型:Telecom IC - Various 工作电源电压:4.75 V to 5.25 V 电源电流: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PQFP-100 封装:Tray STE1000-60T4MI 功能描述:1000μF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 60V Axial 500 mOhm 0.406" Dia x 1.062" L (10.31mm x 26.97mm) 制造商:vishay sprague 系列:SuperTan? Extended STE 包装:散装零件状态:有效电容:1000μF 容差:±20% 电压 - 额定:60V ESR（等效串联电阻）:500 毫欧类型:密封工作温度:-55°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:轴向大小/尺寸:0.406" 直径 x 1.062" 长（10.31mm x 26.97mm）高度 - 安装（最大值）:- 引线间距:- 制造商尺寸代码:T4 特性:液态钽不同温度时的使用寿命:- 标准包装:1 STE-1190527RF95 STE-1190528RF95 STE-1190530RF95 STE-1190531RF95 STE-1209383RF95 STE-1211856RF95 STE-1212747RF95 STE-1215493RF95 STE-1215497RFSP STE-1225705RFGF STE-1226339RFRX STE-1228606RF95 STE-1248377RF95 STE-1262997RF95 STE-1266820RFRX STE-1278205RFRX STE-1328060RFBF STE-1328466RFBF