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STE180-75T2MI

配单专家企业名单

型号
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价格
说明
操作

STE180-75T2MI
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Vishay Sprague
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百原装

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1

您是不是要找： STE180NE10 STE2200-50T4KI STE2200-50T4MI STE220-100T3KI STE240-125T4KI STE250NS10 STE26NA90 STE30NK90Z STE3300-16T3KI

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功能描述
CAP TANT 180UF 75V 20% AXIAL
RoHS
否
类别
电容器 >> 钽
系列
SuperTan® Extended STE
标准包装
1,000
系列
TANTAMOUNT® 695D
电容
3.3µF
电压 - 额定
50V
容差
±20%
ESR（等效串联电阻）
3.2 欧姆
类型
保形涂层
工作温度
-55°C ~ 125°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
2414（6034 公制）
尺寸/尺寸
0.236" L x 0.135" W（6.00mm x 3.43mm）
高度 - 座高（最大）
0.085"（2.16mm）
引线间隔
-
制造商尺寸代码
F
特点
通用
包装
带卷 (TR)
寿命@温度
-

STE180-75T2MI 技术参数

STE180-75T2KI 功能描述:180μF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 75V Axial 1.5 Ohm 0.312" Dia x 0.641" L (7.92mm x 16.28mm) 制造商:vishay sprague 系列:SuperTan? Extended STE 包装:散装零件状态:有效电容:180μF 容差:±10% 电压 - 额定:75V ESR（等效串联电阻）:1.5 欧姆类型:密封工作温度:-55°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:轴向大小/尺寸:0.312" 直径 x 0.641" 长（7.92mm x 16.28mm）高度 - 安装（最大值）:- 引线间距:- 制造商尺寸代码:T2 特性:液态钽不同温度时的使用寿命:- 标准包装:1 STE145N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:143A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 69A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:414nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:18500pF @ 100V 功率 - 最大值:679W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 STE-1428116RF96 功能描述:UNIVERSAL TRANSMITTER W/LITHIUM 制造商:steute wireless 系列:- 零件状态:在售功能:发射器调制或协议:sWave? 频率:915MHz 应用:通用接口:- 灵敏度:- 功率 - 输出:- 数据速率（最大值）:66kbps 特性:- 电压 - 电源:- 标准包装:1 STE140NF20D 功能描述:MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:140A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 毫欧 @ 70A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:338nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11100pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 STE139N65M5 功能描述:N-CHANNEL 650 V, 0.014 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 65A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:363nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:15600pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP 标准包装:100 STE3300-16T3MI STE400-100T4MI STE40NC60 STE40NK90ZD STE45NK80ZD STE4700-10T3KI STE470-75T3KI STE48NM50 STE48NM60 STE50DE100 STE53NC50 STE560-60T3KI STE6000-16T4KI STE6000-16T4MI STE70NM50 STE70NM60 STE750-75T4KI STE750-75T4MI