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STE6000-16T4MI

配单专家企业名单
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  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
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  • STE6000-16T4MI
    STE6000-16T4MI

    STE6000-16T4MI

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Vishay Sprague

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装

  • STE6000-16T4MI
    STE6000-16T4MI

    STE6000-16T4MI

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 原装正品质量保障 电话010-62104...

  • STE6000-16T4MI
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    STE6000-16T4MI

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • VISHAY

  • 剪切卷带

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • STE6000-16T4MI
    STE6000-16T4MI

    STE6000-16T4MI

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

  • 46

  • Vishay Sprague

  • N/A

  • 17+

  • -
  • 原装正品,授权分销商现货库存

  • 1/1页 40条/页 共11条 
  • 1
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  • 功能描述
  • 钽质电容器-湿式 16volts 6000uF 20% T4 case size
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay/Tansitor
  • 电容
  • 2800 uF
  • 电压额定值
  • 35 V
  • ESR
  • 0.35 Ohms
  • 容差
  • 20 %
  • 端接类型
  • Axial
  • 工作温度范围
  • - 55 C to + 85 C
  • 制造商库存号
  • T4 Case
  • 外壳直径
  • 9.52 mm
  • 外壳长度
  • 26.97 mm
  • 外壳宽度
  • 外壳高度
  • 系列
  • STE
  • 产品
  • Tantalum Wet Hermetically Sealed
  • 封装
  • Bulk
STE6000-16T4MI 技术参数
  • STE53NC50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):53A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):80 毫欧 @ 27A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):434nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11200pF @ 25V 功率 - 最大值:460W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 STE50DE100 功能描述:TRANS NPN 1000V 50A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 发射极切换式双极 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50A 电压 - 集射极击穿(最大值):1000V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:400W 频率 - 跃迁:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:100 STE48NM60 功能描述:MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):48A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 22.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):134nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3800pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:50 STE48NM50 功能描述:MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):550V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):48A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 24A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):117nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3700pF @ 25V 功率 - 最大值:450W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 STE4700-10T3KI 功能描述:4700μF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 10V Axial 350 mOhm 0.406" Dia x 0.766" L (10.31mm x 19.46mm) 制造商:vishay sprague 系列:SuperTan? Extended STE 包装:散装 零件状态:有效 电容:4700μF 容差:±10% 电压 - 额定:10V ESR(等效串联电阻):350 毫欧 类型:密封 工作温度:-55°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 大小/尺寸:0.406" 直径 x 0.766" 长(10.31mm x 19.46mm) 高度 - 安装(最大值):- 引线间距:- 制造商尺寸代码:T3 特性:液态钽 不同温度时的使用寿命:- 标准包装:1 STEF05LAPUR STEF05LJR STEF05LPUR STEF05PUR STEF05WPUR STEF12EPUR STEF12PUR STEF12WPUR STEF4SPUR STEPPER-MTR-RD STEVAL385LED4CH STEVAL-3DP001V1 STEVAL-BLUEMIC-1 STEVAL-CBL001V1 STEVAL-CBL003V1 STEVAL-CBL004V1 STEVAL-CBL005V1 STEVAL-CBL006V1
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