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STHB15AGLU

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STHB15AGLU 技术参数
  • STH80N10F7-2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.5 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3100pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH6N95K5-2 功能描述:MOSFET N-CH 950V 6A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):950V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.25 欧姆 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):450pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型 供应商器件封装:H2Pak-2 标准包装:1 STH410N4F7-6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级,AEC-Q101,STripFET? F7 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.1 毫欧 @ 90A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):141nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11500pF @ 25V 功率 - 最大值:365W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:H2PAK-6 标准包装:1 STH410N4F7-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级,AEC-Q101,STripFET? F7 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.1 毫欧 @ 90A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):141nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11500pF @ 25V 功率 - 最大值:365W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:H2Pak-2 标准包装:1 STH400N4F6-6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.15 毫欧 @ 60A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):404nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):20500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STHV748QTR STHV800L STHVDAC-253MF3 STHVDAC-253MTGF3 STHVDAC-256MTGF3 STHVDAC-303F6 STHW-690-N STI STI10N62K3 STI10NM60N STI11NM60ND STI11NM80 STI1200B STI1215A STI1215B STI1220A STI1240A STI1260A
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