STI11NM60ND全国供应商 STI11NM60ND资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STI11NM60ND
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
I2PAK
18+
-
MOSFET N-CH 600V 10A...

STI11NM60ND
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3526
ST
I2PAK
14+
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

STI11NM60ND
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
TO-262
15+
-
原装正品，假一罚十

STI11NM60ND
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
STMicroelectronics
I2PAK
17+
-
全新原装现货

STI11NM60ND
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
5000
isc,iscsemi
I2PAK/TO-262
2024+
-
国产品牌，可替代原装

STI11NM60ND
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ST
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

STI11NM60ND
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
ST
TO220MONOC.
22+
-
十年配单，只做原装

STI11NM60ND
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
300000
YXYBDT台湾
I2PAKTO-2
2024+
-
代理台湾YXYBDT.现货

STI11NM60ND
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B
资质：营业执照
18844
ST/意法
TO220MONOC..
22+
-

STI11NM60ND
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO 220 MONOC. .
ST
17+
-
原装正品。优势供应

1/1页 40条/页共15条
1

您是不是要找： STI11NM80 STI1200B STI1215A STI1215B STI1220A STI1240A STI1260A STI1260B STI1270A

STI11NM60ND PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STI11NM60ND PDF下载

功能描述
MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

STI11NM60ND 技术参数

STI10NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:540pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STI10N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:620V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:750 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1250pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STHVDAC-256MTGF3 功能描述:DAC 7 bit Serial 20-Flip-Chip 制造商:stmicroelectronics 系列:* 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:DAC 分辨率（位）:7 b 采样率（每秒）:- 数据接口:串行电压源:模拟和数字电压 - 电源:1.65 V ~ 1.95 V， 2.3 V ~ 5 V 工作温度:-30°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:20-UFBGA，FCBGA 供应商器件封装:20-倒装芯片标准包装:1 STHVDAC-253MTGF3 功能描述:DAC 7 bit SPI 16-Flipchip (1.7x1.7) 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:DAC 分辨率（位）:7 b 采样率（每秒）:- 数据接口:SPI 电压源:模拟和数字电压 - 电源:2.3 V ~ 5 V 工作温度:-30°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-UFBGA，FCBGA 供应商器件封装:16-覆晶（1.7x1.7）标准包装:1 STHV800L 功能描述:Ultrasound Pulser IC Ultrasound Imaging 56-TFLGA (8x8) 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:托盘零件状态:有效类型:超声脉冲发生器应用:超声波成像安装类型:表面贴装封装/外壳:56-VFLGA 供应商器件封装:56-TFLGA（8x8）标准包装:260 STI12N65M5 STI12NM50N STI13005-1 STI13NM60N STI14NM50N STI14NM65N STI150N10F7 STI15NM60N STI15NM60ND STI16N65M5 STI16NM50N STI175N4F6AG STI17NF25 STI18N60M2 STI18N65M2 STI18N65M5 STI18NM60N STI19NM65N