您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > S字母型号搜索 >

STL-600-12-01

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作

没找到与 " STL-600-12-01 " 相关的供应商

您可以:

1. 缩短或修改您的搜索词,重新搜索

2. 发布紧急采购,3分钟左右您将得到回复 发布紧急采购

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
STL-600-12-01 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • Richco
  • 功能描述
  • STL Series Nylon .500 inch to .600 inch Diameter Stand-Off Twist Lock Clamp
STL-600-12-01 技术参数
  • STL58N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级,AEC-Q101,STripFET? H5 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):64A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):950pF @ 25V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL57N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.3A(Ta),22.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):69 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):110nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4200pF @ 100V 功率 - 最大值:189W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFLAT?(8x8) 标准包装:1 STL56N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):56A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):950pF @ 25V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL55NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):55A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.8 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):965pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(6x5) 标准包装:3,000 STL52N25M5 功能描述:MOSFET N-CH 250V 28A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):28A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):65 毫欧 @ 14A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):47nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1770pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL62P3LLH6 STL-6-350-3-01 STL-6-350-8-01 STL-6-450-3-01 STL-6-450-8-01 STL65DN3LLH5 STL65N3LLH5 STL-6-600-3-01 STL-6-600-8-01 STL66DN3LLH5 STL66N3LLH5 STL-6-750-3-01 STL-6-750-8-01 STL6N2VH5 STL6N3LLH6 STL6NM60N STL6P3LLH6 STL70N10F3
配单专家

在采购STL-600-12-01进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买STL-600-12-01产品风险,建议您在购买STL-600-12-01相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的STL-600-12-01信息由会员自行提供,STL-600-12-01内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号