您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > S字母型号搜索 >

STL90N3LLH7

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • STL90N3LLH7
    STL90N3LLH7

    STL90N3LLH7

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • ST/意法

  • DFN56-8-EP

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • STL90N3LLH7
    STL90N3LLH7

    STL90N3LLH7

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • ST

  • DFN56

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • STL90N3LLH7
    STL90N3LLH7

    STL90N3LLH7

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • ST

  • PowerFLAT5x6

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • STL90N3LLH7
    STL90N3LLH7

    STL90N3LLH7

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B

    资质:营业执照

  • 50000

  • ST

  • DFN56-8-EP

  • 22+

  • -
  • 原装正品现货,支持BOM配单!

  • STL90N3LLH7
    STL90N3LLH7

    STL90N3LLH7

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:13612858787

    地址:深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 84000

  • ST/意法

  • DFN5X6

  • 21+原装

  • -
  • 庞田无假货,只做原装正品,货真价实欢迎前...

  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
STL90N3LLH7 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
STL90N3LLH7 技术参数
  • STL90N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A POWERFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):90A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1690pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(6x5) 标准包装:1 STL90N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3550pF @ 50V 功率 - 最大值:100W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL8P4LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 40V 8A PWRFLAT8 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20.5 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2850pF @ 25V 功率 - 最大值:2.9W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL8P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT22 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22.5 毫欧 @ 4A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2390pF @ 16V 功率 - 最大值:2.4W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-PowerWDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(2x2) 标准包装:1 STL8NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A PWRFLAT3.3SQ 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):965pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(3.3x3.3) 标准包装:1 STLC3055Q STLC3055QTR STLC3080 STLC3080TR STLC30R80 STLC5046 STLC5048 STLC5048TR STLC60845 STLC7550TQF7 STLC7550TQF7TR STLD125N4F6AG STLD128DNT4 STLD200N4F6AG STLD20CP1PQR STLD20D-C8 STLD20D-DEF STLD40DPMR
配单专家

在采购STL90N3LLH7进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买STL90N3LLH7产品风险,建议您在购买STL90N3LLH7相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的STL90N3LLH7信息由会员自行提供,STL90N3LLH7内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号