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STL9N60M2

配单专家企业名单
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  • STL9N60M2
    STL9N60M2

    STL9N60M2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • STL9N60M2
    STL9N60M2

    STL9N60M2

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 86900

  • STMicroelectronics

  • PowerFlat?(5x6)

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 600V 4.8...

  • STL9N60M2
    STL9N60M2

    STL9N60M2

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 15000

  • STMICROEL

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • STL9N60M2
    STL9N60M2

    STL9N60M2

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:王女士

    电话:13969210552

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

  • 4500

  • STMICROELECTRONICS

  • NA

  • 近两年

  • -
  • 查货可到京北通宇商城www.jbchip...

  • STL9N60M2
    STL9N60M2

    STL9N60M2

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • STMicroelectronics

  • PowerFlat?

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • STL9N60M2
    STL9N60M2

    STL9N60M2

  • 深圳市铭昌源科技有限公司
    深圳市铭昌源科技有限公司

    联系人:优质现货代理商

    电话:0755-82774613邓先生(13480915249)微信同步0755-82774613邓先生

    地址:深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室

    资质:营业执照

  • 62106

  • STMicroelectronics

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 优势代理,公司现货可开票

  • STL9N60M2
    STL9N60M2

    STL9N60M2

  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 9000

  • ST

  • QFP

  • 20+

  • -
  • 公司全新原装正品,QQ153058080...

  • STL9N60M2
    STL9N60M2

    STL9N60M2

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B

    资质:营业执照

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  • ST意法

  • N/A

  • 22+

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh? II Plus
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 600V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 4.8A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 860 毫欧 @ 2.4A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 10nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 320pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 48W
  • 工作温度
  • 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装
  • PowerFlat?(5x6)
  • 标准包装
  • 1
STL9N60M2 技术参数
  • STL9N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):724pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(3.3x3.3) 标准包装:1 STL92N10F7AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 16A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.5 欧姆 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3100pF @ 50V 功率 - 最大值:100W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL90N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 90A F7 8PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):90A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.4 毫欧 @ 10.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1600pF @ 25V 功率 - 最大值:94W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL90N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A POWERFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):90A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1690pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(6x5) 标准包装:1 STL90N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3550pF @ 50V 功率 - 最大值:100W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STLC30R80 STLC5046 STLC5048 STLC5048TR STLC60845 STLC7550TQF7 STLC7550TQF7TR STLD125N4F6AG STLD128DNT4 STLD200N4F6AG STLD20CP1PQR STLD20D-C8 STLD20D-DEF STLD40DPMR STLD40DPUR STLD41PUR STLD60BQTR STLDC08PUR
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