配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STN2NF10TR
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
SOT-223
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STN2NF10TR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
12500
ST
SOT-223
1432+
-
全新原装现货

STN2NF10TR
深圳市源运电子商行
深圳市源运电子商行
联系人：林先生
电话：15913992480
地址：深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼
55000
◤优势◥ST
SOT223
16+
-

STN2NF10TR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ST
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装正品公司现货！

STN2NF10TR
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
ST
原厂原装
18+
-
原装正品，优势供应

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您是不是要找： STN3N40K3 STN3N45K3 STN3NF06 STN3NF06L STN3P6F6 STN3PF06 STN4NF03L STN4NF06L STN4NF20L

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STN2NF10TR 技术参数

STN2NF10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:260 毫欧 @ 1.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:280pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN2580 功能描述:TRANS NPN 400V 1A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 250mA，5V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN1NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:250mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:160pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN1NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 欧姆 @ 400mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:94pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN1NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:90pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN5PF02V STN690A STN715 STN724 STN749 STN790A STN817A STN83003 STN851 STN851-A STN878 STN888 STN9260 STN93003 STN9360 STN951 STNRG288A STNRG288ATR