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STN749-TR

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  • STN749-TR
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ST

  • SOT-223

  • 09+

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  • 假一罚十,百分百原装正品

  • STN749-TR
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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 90000

  • STM

  • TO-223

  • 08+

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  • 绝对公司原装现货

  • STN749-TR
    STN749-TR

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  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B

    资质:营业执照

  • 10000

  • STM

  • TO-223

  • 23+

  • -
  • 终端免费提供样品 可开13%增值税发票

  • STN749-TR
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    STN749-TR

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:86-755-8450174913760200702

    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质:营业执照

  • 90000

  • STM

  • 223

  • 假一赔十!!

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  • 绝对原装现货!

  • STN749-TR
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • STM

  • SOT-223

  • 最新批号

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  • 一级代理.原装特价现货!

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STN749-TR 技术参数
  • STN749 功能描述:TRANS PNP 25V 3A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 300mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN724 功能描述:TRANS NPN 30V 3A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.1V @ 150mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN715 功能描述:TRANS NPN 80V 1.5A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN690A 功能描述:TRANS NPN 30V 3A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 100mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN5PF02V 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):80 毫欧 @ 2.1A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):450mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):412pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN9360 STN951 STNRG288A STNRG288ATR STNRG328A STNRG328ATR STNRG388A STNRG388ATR STNRGPF01 STNRGPF01TR STNS01PUR STO-01-187N STO-41T-187N STOD02PUR STOD02TPUR STOD03ASTPUR STOD03ATPUR STOD03BTPUR
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