STP13N60FI

配单专家企业名单

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说明
操作

STP13N60FI
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
ST
TO-220
22+
-
十年配单，只做原装

STP13N60FI
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B
资质：营业执照
20377
ST/意法
TO220ABNONISOL
22+
-

STP13N60FI
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ST
TO220
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

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STP13N60FI 技术参数

STP130N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A F7 TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2600pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP130N10F3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.6 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3305pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP12PF06 功能描述:MOSFET P-CH 60V 12A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:850pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP12NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:410 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:960pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP12NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:940pF @ 50V 功率 - 最大值:100W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP13NM60ND STP140N4F6 STP140N6F7 STP140N8F7 STP140NF55 STP140NF75 STP141NF55 STP14N80K5 STP14NF10 STP14NF12 STP14NF12FP STP14NK50Z STP14NK50ZFP STP14NK60Z STP14NK60ZFP STP14NM50N STP14NM65N STP150N10F7