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STTH1R02RL/BKN

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STTH1R02RL/BKN 技术参数
  • STTH1R02RL 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO41 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1.5A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 1.5A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:1 STTH1R02QRL 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1.5A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 1.5A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 供应商器件封装:DO-15 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:1 STTH1R02Q 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1.5A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 1.5A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 供应商器件封装:DO-15 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:1 STTH1R02A 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1.5A SMA 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1.5A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 1.5A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商器件封装:SMA 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:1 STTH1R02 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO41 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1.5A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 1.5A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:2,000 STTH1R04U STTH1R04UY STTH1R06 STTH1R06A STTH1R06RL STTH1R06U STTH1R06UFY STTH20002TV1 STTH20003TV1 STTH20004TV1 STTH2002CFP STTH2002CG STTH2002CG-TR STTH2002CR STTH2002CT STTH2002D STTH2002DI STTH2002G
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