STTH3L06U/N

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STTH3L06U/N
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9987
STM
二极
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STTH3L06U/N 技术参数

STTH3L06U 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:85ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH3L06S 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A SMC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:85ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:SMC 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH3L06B-TR 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:85ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH3L06B 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:85ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH3L06 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:85ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH3R04QRL STTH3R04RL STTH3R04S STTH3R04U STTH3R06 STTH3R06RL STTH3R06S STTH3R06U STTH3R06UFY STTH40P03SFP STTH40P03ST STTH4L06 STTH4L06Q STTH4L06QRL STTH4L06RL STTH4R02 STTH4R02B STTH4R02B-TR