STTH3R02QRL/BKN

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STTH3R02QRL/BKN 技术参数

STTH3R02QRL 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO15 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AC，DO-15，轴向供应商器件封装:DO-15 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH3R02Q 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO15 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AC，DO-15，轴向供应商器件封装:DO-15 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH3R02AFY 功能描述:DIODE UFAST 200V 3A SOD128 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，ECOPACK?2 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.02V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:21ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1.6μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:SOD-128 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:1 STTH3R02 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH3L06UFY 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A SMBFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，ECOPACK?2 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:70ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBflat 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:1 STTH3R06RL STTH3R06S STTH3R06U STTH3R06UFY STTH40P03SFP STTH40P03ST STTH4L06 STTH4L06Q STTH4L06QRL STTH4L06RL STTH4R02 STTH4R02B STTH4R02B-TR STTH4R02BY-TR STTH4R02D STTH4R02FP STTH4R02RL STTH4R02S