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STW8Q14BE-S5T5-FB

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  • 功能描述
  • 大功率LED - 单色 White 3500K, CRI-80 ANSI Bin F2-F5
  • RoHS
  • 制造商
  • Cree, Inc.
  • 照明颜色
  • Blue
  • 波长
  • 465 nm
  • 光强度
  • 光通量/辐射通量
  • 500 mW
  • 正向电流
  • 350 mA
  • 正向电压
  • 3.1 V
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 功率额定值
  • 系列
  • XB-D
  • 封装
  • Reel
STW8Q14BE-S5T5-FB 技术参数
  • STW8Q14BE-S5T0-HA 功能描述:LED Lighting Acrich White, Warm 2700K (2600K ~ 2900K) 3.2V 100mA 120° 4-SMD, Flat Lead Exposed Pad 制造商:seoul semiconductor inc. 系列:Acrich 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 颜色:暖白色 CCT(K):2700K(2600K ~ 2900K) 85°C 时通量,电流 - 测试:- 25°C 时通量,电流 - 测试:31 lm(30 lm ~ 31 lm) 电流 - 测试:100mA 电压 - 正向(Vf)(典型值):3.2V 不同测试电流时的流明/瓦:97 lm/W CRI(高显色指数):80 电流 - 最大值:160mA 视角:120° 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线裸焊盘 封装热阻:18°C/W 标准包装:1 STW8Q14BE-S5-GT 功能描述:LED Lighting Acrich White, Warm 3000K (2900K ~ 3200K) 3.2V 100mA 120° 4-SMD, Flat Lead Exposed Pad 制造商:seoul semiconductor inc. 系列:Acrich 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 颜色:暖白色 CCT(K):3000K(2900K ~ 3200K) 85°C 时通量,电流 - 测试:- 25°C 时通量,电流 - 测试:30 lm(标准) 电流 - 测试:100mA 电压 - 正向(Vf)(典型值):3.2V 不同测试电流时的流明/瓦:94 lm/W CRI(高显色指数):80 电流 - 最大值:160mA 视角:120° 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线裸焊盘 封装热阻:18°C/W 标准包装:1 STW8NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 3.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1320pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW8NB100 功能描述:MOSFET N-CH 1KV 7.3A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.45 欧姆 @ 3.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):95nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2900pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW8N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA Vgs(最大值):±30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):130W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247-3 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 STW8Q14BE-T5-EB STW8Q14BE-T5U0-FA STW8Q14BE-T5U0-GA STW8Q14BE-T5V5-CB STW8Q14BE-U0D0A1 STW8Q14BE-U0D0Z3 STW8Q14BE-U0D1Z2 STW8Q14BE-U0D1Z3 STW8Q14BE-U0D2A1 STW8Q14BE-U0D2Z2 STW8Q14BE-U0D2Z3 STW8Q14BE-U0D3A1 STW8Q14BE-U0D3Z2 STW8Q14BE-U0D3Z3 STW8Q14BE-U0D4A1 STW8Q14BE-U0D4Z2 STW8Q14BE-U0D4Z3 STW8Q14BE-U0D5A1
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